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Módulo Igbt Fp50r06w2e3 Nf

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Manufacturer: Infineon Product Category: IGBT Modules Product: IGBT Silicon Modules Configuration: 3-Phase Inverter Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 600 V Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.45 V Continuous Collector Current at 25 C: 65 A Gate-Emitter Leakage Current: 400 nA Pd - Power Dissipation: 175 W Package / Case: Module Minimum Operating Temperature: - 40 C Maximum Operating Temperature: + 150 C Packaging: Tray Brand: Infineon Technologies Maximum Gate Emitter Voltage: 20 V Mounting Style: SMD/SMT Product Type: IGBT Modules Series: Trench/Fieldstop IGBT3 - E3 Subcategory: IGBTs Technology: Si Tradename: EasyPIM Part # Aliases: SP000375909 FP50R06W2E3BOMA1 Unit Weight: 39 g

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